上海增雨实业有限公司
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  • 上海徐汇库存IGBT模块回收参数光猫回收

    来源:上海增雨实业有限公司 时间:2025-03-17 22:08:02 [举报]

    由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅通过一层氧化膜与发射实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅击穿是IGBT失效的常见原因之一。

    在使用IGBT模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸; 在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块; 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然了栅驱动电压没有超过栅大额定电压,但栅连线的寄生电感和栅与集电间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
    此外,在栅—发射间开路时,若在集电与发射间加上电压,则随着集电电位的变化,由于集电有漏电流流过,栅电位升高,集电则有电流流过。这时,如果集电与发射间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。

    一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5~35℃ ,常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区,需用加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合; 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象,因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方; 保管时,须注意不要在IGBT模块上堆放重物; 装IGBT模块的容器,应选用不带静电的容器。

    IGBT模块由于具有多种优良的特性,使它得到了快速的发展和普及,已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能,了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。

    上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和,漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。
    IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压,栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时,基于以下的参数来进行:器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大,故可使用MOSFET驱动技术进行触发,不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大,故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。
    IGBT在关断过程中,漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后,PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除,造成漏极电流较长的尾部时间,td(off)为关断延迟时间,trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成,而漏极电流的关断时间
    t(off)=td(off)+trv十t(f)
    式中:td(off)与trv之和又称为存储时间。
    IGBT的开关速度低于MOSFET,但明显GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间,但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3~4V,和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近,饱和压降随栅极电压的增加而降低。
    正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限,远远不能满足电力电子应用技术发展的需求;高压领域的许多应用中,要求器件的电压等级达到10KV以上,目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件,德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用,日本东芝也已涉足该领域。与此同时,各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术,主要采用1um以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。2013年9月12日 我国的高压大功率3300V/50A IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块通过,中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。

    关于转换电流变化率
    当负载电流,电源频率的增高或电源为非正弦波时,会使转换电流变化率变高,这种情况易在感性负载的情况下发生,很容易导致器件的损坏。此时可以在负载回路中串联一只几毫亨的空气电感。
    面向全国,苏州模块供应商,代理商。
    全新原装,代理,大量库存
    ABB 、POSEICO、 WESTCODE 、IXYS 、SEMIKRON 、CATELEC 、SanRex、MITSUBISHI、EUPEC 、infineon 、POWERSEM 、DAWIN、TYCO
    可控硅 IGBT IPM PIM系列模块优势代理
    1、日本三社SanRex:可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块。
    2、德国西门]康SEMIKRON: IGBT模块;可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块;平板型可控硅;螺栓型可控硅;螺栓型二极管。
    3、德国英飞凌Infineon: IGBT模块; PIM模块;可控硅模块。
    4、德国艾赛斯IXYS:快速恢复二极管模块;可控硅模块。
    5、日本三菱MITSUBISHI: IGBT模块; IPM模块; PIM模块。
    6、日本富士FUJI: IGBT模块; IPM模块;三相整流桥模块。
    7、美国威士VISHAY:螺栓二极管;螺栓可控硅。
    8、日本东芝TOSHIBA: IGBT模块;整流桥模块; GTO门极关断可控硅。
    9、IGBT无感吸收电容:美国CDE;加拿大EACO:德国EPCOS。
    10、英国西码WESTCODE:平板型可控硅;平板型二极管;螺栓型可控硅、螺栓型二极管。
    11、意大利POSEICO:平板型可控硅;平板型二极管。
    12、英国达尼克斯DYNEX:平板型可控硅;平板型二极管、GTO ]极可关断可控硅
    13、瑞士ABB:平板型可控硅;平板型二极管、GTO门极可关断可控硅。
    14、快速熔断器:美国BUSSMANN。

    标签:库存IGBT模块回收

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  • 上海增雨实业有限公司
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  • 电子料回收
  • 有限责任公司
  • 2018-06-14
  • 电子料回收,IC芯片回收,电子元件回
  • 上海 闵行 上海市松江区泖港镇中厍路167

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贾经理

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