江苏高淳区IGBT模块回收设计电容回收

由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅通过一层氧化膜与发射实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅击穿是IGBT失效的常见原因之一。

随着国内IGBT企业斯达半导的上市，并挤进IGBT模块供应商0，国产替代技术已经达到门槛。功率半导体是半导体行业的细分领域，虽不像集成电路一样被大众熟知，但其重要性不可忽视。1990-2010年，这20年时间内，IGBT节能效果为客户累计节省了约18万亿美元，减少了约100万亿磅的二氧化碳排放。IGBT作为电子电力装置和系统中的“CPU”，节能减排的主力军，有着强大的生命力，我们现在还离不开IGBT！

IGBT的应用领域
按电压分布的应用领域
1、新能源汽车
IGBT模块在电动汽车中发挥着至关重要的作用，是电动汽车及充电桩等设备的核心技术部件。IGBT模块占电动汽车成本将近10%，占充电桩成本约20%。IGBT主要应用于电动汽车领域中以下几个方面：
A）电动控制系统 大功率直流/交流(DC/AC)逆变后驱动汽车电机；
B）车载空调控制系统 小功率直流/交流(DC/AC)逆变，使用电流较小的IGBT和FRD；
C）充电桩 智能充电桩中IGBT模块被作为开关元件使用；
2、智能电网
IGBT广泛应用于智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端：
从发电端来看，风力发电、光伏发电中的整流器和逆变器都需要使用IGBT模块。
从输电端来看，特高压直流输电中FACTS柔性输电技术需要大量使用IGBT等功率器件。
从变电端来看，IGBT是电力电子变压器（PET）的关键器件。
从用电端来看，家用白电、 微波炉、 LED照明驱动等都对IGBT有大量的需求。
3、轨道交通
IGBT器件已成为轨道交通车辆牵引变流器和各种变流器的主流电力电子器件。交流传动技术是现代轨道交通的核心技术之一，在交流传动系统中牵引变流器是关键部件，而IGBT又是牵引变流器核心的器件之一。

随着IGBT芯片技术的不断发展，芯片的高工作结温与功率密度不断提高， IGBT模块技术也要与之相适应。未来IGBT模块技术将围绕 芯片背面焊接固定 与 正面电互连 两方面改进。模块技术发展趋势：无焊接、 无引线键合及无衬板/基板封装技术；内部集成温度传感器、电流传感器及驱动电路等功能元件，不断提高IGBT模块的功率密度、集成度及智能度。

IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；
IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。

关于转换电压变化率
当驱动一个大的电感性负载时，在负载电压和电流间有一个很大的相移。当负载电流过零时，双向可控硅(晶闸管)开始换向，但由于相移的关系，电压将不会是零。所以要求可控硅(晶闸管)要迅速关断这个电压。如果这时换向电压的变化超过允许值时，就没有足够的时间使结间的电荷释放掉，而使双向可控硅(晶闸管)回到导通状态。
为了克服上述问题，可以在端子MT1和MT2之间加一个RC网络来限制电压的变化，以防止误触发。一般，电阻取100R，电容取100nF。值得注意的是此电阻不能省掉。
1、日本三社SanRex:可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块。
2、德国西门]康SEMIKRON: IGBT模块;可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块;平板型可控硅;螺栓型可控硅;螺栓型二极管。
3、德国英飞凌Infineon: IGBT模块; PIM模块;可控硅模块。
4、德国艾赛斯IXYS:快速恢复二极管模块;可控硅模块。
5、日本三菱MITSUBISHI: IGBT模块; IPM模块; PIM模块。
6、日本富士FUJI: IGBT模块; IPM模块;三相整流桥模块。
7、美国威士VISHAY:螺栓二极管;螺栓可控硅。
8、日本东芝TOSHIBA: IGBT模块;整流桥模块; GTO门极关断可控硅。
9、IGBT无感吸收电容:美国CDE;加拿大EACO:德国EPCOS。
10、英国西码WESTCODE:平板型可控硅;平板型二极管;螺栓型可控硅、螺栓型二极管。
11、意大利POSEICO:平板型可控硅;平板型二极管。
12、英国达尼克斯DYNEX:平板型可控硅;平板型二极管、GTO ]极可关断可控硅
13、瑞士ABB:平板型可控硅;平板型二极管、GTO门极可关断可控硅。
14、快速熔断器:美国BUSSMANN。